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BSP129H6327 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA 漏源电压(Vdss):240V 栅源极阈值电压:1V @ 108uA 漏源导通电阻:6Ω @ 350mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道
BSP129H6327的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)240V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)350mA

栅源极阈值电压1V @ 108uA

漏源导通电阻6Ω @ 350mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.8W

类型N沟道

供应商BSP129H6327
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BSP129H6327XTSA1MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO446.67 Kbytes共9页BSP129H6327XTSA1的PDF下载地址
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BSP129H6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA 漏源电压(Vdss):240V 栅源极阈值电压:1V @ 108uA 漏源导通电阻:6Ω @ 350mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.8W 类型:N沟道1+:¥2.73
10+:¥2.05
30+:¥1.93
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500+:¥1.75
1000+:¥1.72
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BSP129H6327XTSA1Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥5.21
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100+:¥4.88