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BSP122,115 /MOSFET TAPE-7 MOSFET
BSP122,115的规格信息
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制造商:Nexperia

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:550 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.7 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.7 mm

长度:6.7 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.7 mm

商标:Nexperia

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

零件号别名:BSP122 T/R

单位重量:250 mg

供应商BSP122,115
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芯莱德电子(香港)有限公司BSP122,115深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市科思奇电子科技有限公司BSP122,115上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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深圳市高捷芯城科技有限公司BSP122,115深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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13380394549
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18938047708/18938048779
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BSP122,115MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223Nexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO170.33 Kbytes共9页BSP122,115的PDF下载地址
BSP122,115连续漏极电流(Id)(25°C 时):550mA 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 750mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO170.33 Kbytes共9页BSP122,115的PDF下载地址
BSP122,115的全球分销商及价格
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BSP122,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE-7 MOSFET1000+:¥2.8599
2000+:¥2.68
5000+:¥2.54
10000+:¥2.44
25000+:¥2.37
50000+:¥2.291+:¥6.73
10+:¥5.41
100+:¥4.1799
500+:¥3.7
1000+:¥2.92
2000+:¥2.92
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50000+:¥2.82011000+:¥1.33011+:¥1.51
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BSP122,115Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223$0.53000
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Digi-Key 得捷电子
BSP122,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE-7 MOSFET1000+:¥2.8599
2000+:¥2.68
5000+:¥2.54
10000+:¥2.44
25000+:¥2.37
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Future(富昌)
BSP122,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE-7 MOSFET1000+:¥2.8599
2000+:¥2.68
5000+:¥2.54
10000+:¥2.44
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10+:¥5.41
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1000+:¥2.92
2000+:¥2.92
10000+:¥2.85
25000+:¥2.8201
50000+:¥2.82011000+:¥1.3301
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Mouser 贸泽电子
BSP122,115NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET1:¥6.6105
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
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Mouser 贸泽电子
BSP122,115NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE-7 MOSFET1000+:¥2.8599
2000+:¥2.68
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2000+:¥2.92
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25000+:¥2.8201
50000+:¥2.8201
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立创商城
BSP122,115Nexperia(安世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):550mA 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2V @ 1mA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 750mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道1+:¥2.49
10+:¥2.42
30+:¥2.38
100+:¥2.33