典型关断延迟时间21 ns

典型接通延迟时间6 ns

典型栅极电荷@Vgs6 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds250 pF V @ 20

安装类型表面贴装

宽度3.7mm

封装类型SC-73

尺寸6.7 x 3.7 x 1.7mm

引脚数目4

最低工作温度-65 °C

最大功率耗散8300 mW

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压30 V

最大漏源电阻值0.1

最大连续漏极电流3.2 A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N

配置双漏极、单

长度6.7mm

高度1.7mm