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BSO110N03MSG / MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
BSO110N03MSG的规格信息
BSO110N03MSG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:12.1 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.56 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DSO-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:4.4 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:4.4 ns

系列:OptiMOS 3M

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:9.5 ns

典型接通延迟时间:7.8 ns

零件号别名:BSO110N03MSGXT BSO110N03MSGXUMA1 SP000446062

供应商BSO110N03MSG
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BSO110N03MSG的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		BSO110N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 10A 8DSO$0.37712
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSO110N03MSGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		BSO110N03MSGInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 12.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：N沟道1+:￥3.89
10+:￥2.94
30+:￥2.76
100+:￥2.4605
500+:￥2.3845
1000+:￥2.3465
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