制造商:Infineon

产品种类:IGBT 模块

RoHS:否

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:2.4 V

在25 C的连续集电极电流:170 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:690 W

封装 / 箱体:32 mm

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

封装:Tray

高度:30.5 mm

长度:94 mm

宽度:34 mm

商标:Infineon Technologies

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:10

子类别:IGBTs

零件号别名:BSM75GB120DLCHOSA1 SP000100473