FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 11µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：500pF @ 15V

功率 - 最大值：500mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TSOP6-6

供应商器件封装：PG-TSOP6-6

通道类型：P

最大连续漏极电流：2 A

最大漏源电压：30 V

最大漏源电阻值：130 m0hms

最大栅阈值电压：1V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TSOP

引脚数目：6

晶体管配置：隔离式

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：500 mW

宽度：1.6mm

最高工作温度：+150 °C

最低工作温度：-55 °C

正向二极管电压：1.1V

每片芯片元件数目：2

长度：2.9mm

高度：1mm

系列：OptiMOS P

尺寸：2.9 x 1.6 x 1mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：5 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：376 pF @ -15 V

典型关断延迟时间：15.3 ns

典型接通延迟时间：5.6 ns

正向跨导：4.6S

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs