FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 40µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：805pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：43 毫欧 @ 5.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TSOP6-6

封装/外壳：PG-TSOP6-6

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：P-Channel

Vds-漏源极击穿电压：30V

Id-连续漏极电流：5.5A

Rds On-漏源导通电阻：74mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：SingleQuadDrain

Pd-功率耗散：2W

通道模式：Enhancement

高度：1.1mm

长度：3mm

晶体管类型：1P-Channel

宽度：1.5mm

下降时间：29ns

上升时间：8.4ns

典型关闭延迟时间：36.4ns

典型接通延迟时间：7.3ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs