FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 40µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1007pF @ 15V

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：41 毫欧 @ 6A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TSOP6-6

封装/外壳：PG-TSOP6-6

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：P-Channel

Vds-漏源极击穿电压：20V

Id-连续漏极电流：6A

Rds On-漏源导通电阻：41mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：12V

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：SingleQuadDrain

Pd-功率耗散：2W

通道模式：Enhancement

高度：1.1mm

长度：3mm

晶体管类型：1P-Channel

宽度：1.5mm

下降时间：53ns

上升时间：17ns

典型关闭延迟时间：42ns

典型接通延迟时间：9ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs