通道模式：Enhancement

渠道类型：P

外形尺寸：3 x 1.4 x 1mm

身高：1mm

长度：3mm

最大连续漏极电流：-0.52 A

最大漏源电阻：1.35 Ω

最大漏源电压：30 V

最大门源电压：±20 V

最高工作温度：+150 °C

最大功率耗散：0.417 W

最低工作温度：-55 °C

安装类型：Surface Mount

每个芯片的元件数：1

包装类型：SOT23

引脚数：3

典型栅极电荷@ VGS：2.9 nC

典型输入电容@ VDS：80 pF

典型关闭延迟时间：45 ns

典型导通延迟时间：2 ns

宽度：1.4mm

漏极电流（最大值）：0.52 A

频率（最大）：Not Required MHz

栅源电压（最大值）：�20 V

输出功率（最大）：Not Required W

功率耗散：0.417 W

安装：Surface Mount

噪声系数：Not Required dB

漏源导通电阻：0.9 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

极性：P

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏极效率：Not Required %

漏源导通电压：30 V

功率增益：Not Required dB

弧度硬化：No

连续漏极电流：0.52 A

晶体管极性：:P Channel

Continuous Drain Current Id：:-520mA

Drain Source Voltage Vds：:-30V

On Resistance Rds(on)：:0.63ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:-10V

Threshold Voltage Vgs：:-1.9V

功耗：:417mW

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:SOT-23

No. of Pins：:3

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

工作温度范围：:-55°C to +150°C

封装：:Cut Tape

Weight (kg)：0.000008

Tariff No.：85412100