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BSH201 / Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB
BSH201的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

连续漏极电流：0.3 A

栅源电压（最大值）：�20 V

功率耗散：0.417 W

安装：Surface Mount

漏源导通电阻：2.5 ohm

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：TO-236AB

引脚数：3

极性：P

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

通道模式：Enhancement

漏源导通电压：60 V

弧度硬化：No

供应商BSH201
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现代芯城（深圳）科技有限公司BSH201www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSH201深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司BSH201,215深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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深圳市高捷半导体有限公司BSH201,215深圳市福田区航都大厦10层13380394549
13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司BSH201深圳市福田区航都大厦10B13352985419
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18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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BSH201,215MOSFET P-CH 60V 300MA TO236ABNexperia USA Inc.Nexperia USA Inc.的LOGO233.72 Kbytes共8页BSH201,215的PDF下载地址无
BSH201,215连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA(最小) 漏源导通电阻：2.5Ω @ 160mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：417mW 类型：P沟道Nexperia(安世)Nexperia(安世)的LOGO233.72 Kbytes共8页BSH201,215的PDF下载地址无
BSH201的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		BSH201,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET3000+:￥0.87
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Bristol Electronics		BSH201NXP Semiconductors价格未公开
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ChipOneStop		BSH201,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET3000+:￥0.87
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Digi-Key 得捷电子		BSH201,215Nexperia USA Inc.MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB$0.33000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BSH201,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET3000+:￥0.87
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element14 e络盟电子		BSH201,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET3000+:￥0.87
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Future(富昌)		BSH201,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET3000+:￥0.87
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Mouser 贸泽电子		BSH201,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET3000+:￥0.87
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Mouser 贸泽电子		BSH201,215NexperiaMOSFET TAPE7 MOSFET1:¥3.2996
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Verical		BSH201,215NXP SemiconductorsFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET TAPE7 MOSFET3000+:￥0.87
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立创商城		BSH201,215Nexperia(安世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA(最小) 漏源导通电阻：2.5Ω @ 160mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：417mW 类型：P沟道1+:￥0.7836
10+:￥0.5661
30+:￥0.5262
100+:￥0.4862
500+:￥0.4685
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