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BSC340N08NS3G / MOSFET N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC340N08NS3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:23 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:34 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:2 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:3 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:5000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:11 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GXT SP000447534

供应商BSC340N08NS3G
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BSC340N08NS3GInfineon Technologies Americas Inc.- Tape and Reel5,000 : $0.231
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BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesBSC340N08NS3 - N-CHANNEL POWER M$0.23000
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Mouser 贸泽电子
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 31:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
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Wuhan P&S
BSC340N08NS3GInfineon Technologies AG80V,23A,N-channel power MOSFET1 : $0.54
100 : $0.4
1,000 : $0.34
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立创商城
BSC340N08NS3GATMA1Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:3.5V @ 12uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道1+:¥4.83
10+:¥4.69
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100+:¥4.52