系列：OptiMOS™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：19A（Ta），80A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 110µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：27.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4100pF @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），48W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：4.6 毫欧 @ 50A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TDSON-8

封装形式Package：TDSON

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：19A

漏源电压（Vdss）：20V

供应商器件封装：PG-TDSON-8

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs