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BS107RLRA / MOSFET
BS107RLRA的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:250 mA

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:SOT-23-3

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

正向跨导 - 最小值:0.0004 S

最小工作温度:- 55 C

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BS107RLRASmall Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO56.47 Kbytes共6页BS107RLRA的PDF下载地址2N7000_07,NTJS4405N,SD101A,FDLL914_07,5N60,NTMD2P01R2,FDLL914,PS7122A-1B,MTP20N15E,LL101A
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