标准包装：1,000
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：-
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：250mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：60pF @ 25V
功率 - 最大值：350mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
其它名称：BS107G-NDBS107GOS