制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :+/- 20 V

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-123A

封装:Tube

商标:NXP Semiconductors

最小工作温度:- 65 C

Pd-功率耗散:38 W

工厂包装数量:20

零件号别名:BLF244,112