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BFU730F,115 /射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
BFU730F,115的规格信息
BFU730F,115的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

晶体管类型:Bipolar

技术:SiGe

直流集电极/Base Gain hfe Min:205

集电极—发射极最大电压 VCEO:2.8 V

发射极 - 基极电压 VEBO:1 V

集电极连续电流:5 mA

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT343F-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:10 V

直流电流增益 hFE 最大值:555

高度:0.75 mm

长度:2.2 mm

工作频率:55 GHz

类型:RF Silicon Germanium

宽度:1.35 mm

商标:NXP Semiconductors

Pd-功率耗散:197 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:934064614115

单位重量:6.665 mg

供应商BFU730F,115
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