制造商:NXP

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:是

晶体管类型:Bipolar Wideband

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:60

集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2 V

集电极连续电流:15 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT323-3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:24 V

直流电流增益 hFE 最大值:200

工作频率:900 MHz

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

类型:Wideband RF Transistor

商标:NXP Semiconductors

增益带宽产品fT:11 GHz

最大直流电集电极电流:80 mA

Pd-功率耗散:450 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

零件号别名:934067695115

单位重量:5.569 mg