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BD679AS /达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
BD679AS的规格信息
BD679AS的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

最大直流电集电极电流:4 A

最大集电极截止电流:200 uA

Pd-功率耗散:40 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-126

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BD679A

封装:Bulk

高度:11 mm

长度:8 mm

宽度:3.25 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:750

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:BD679AS_NL

单位重量:761 mg

供应商BD679AS
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深圳市佳威星科技有限公司BD679AS深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市芯幂科技有限公司BD679AS深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司BD679AS航都大厦10I0755-23990975
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深圳市振钰科技有限公司BD679AS深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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Rochester
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RS(欧时)
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RS(欧时)
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Verical
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