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BD678G /达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power PNP
BD678G的规格信息
BD678G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

最大直流电集电极电流:4 A

最大集电极截止电流:200 uA

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BD678

封装:Bulk

直流电流增益 hFE 最大值:750 at 1.5 A at 3 V

高度:11.04 mm

长度:7.74 mm

宽度:2.66 mm

商标:ON Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:750

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:500

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商BD678G
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BD678GPlastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO59.19 Kbytes共4页BD678G的PDF下载地址BD675,BDV65B_06,2N4921_06,2N6040_06,2N6387_06,TIP100_05,2N4918_04,2N6035_06,QSE213C,BSS76
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BD678GON Semiconductor达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power PNP1:¥5.2206
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