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BCV27E6327HTSA1 /Nexperia BCV27E6327HTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=30 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装
BCV27E6327HTSA1的规格信息
BCV27E6327HTSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:NPN

最大连续集电极电流:500 mA

最大集电极-发射极电压:30 V

最大发射极-基极电压:10 V

封装类型:SOT-23

安装类型:表面贴装

引脚数目:3

晶体管配置:

每片芯片元件数目:1

最小直流电流增益:2000

最大基极-发射极饱和电压:1.5 V

最大集电极-基极电压:40 V

最大集电极-发射极饱和电压:1 V

最大集电极-基极截止电流:0.0001mA

最低工作温度:-65 °C

宽度:1.3mm

最高工作温度:+150 °C

长度:2.9mm

高度:1mm

尺寸:2.9 x 1.3 x 1mm

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商BCV27E6327HTSA1
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BCV27E6327HTSA1达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTORInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO521.26 Kbytes共7页BCV27E6327HTSA1的PDF下载地址
BCV27E6327HTSA1TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT-23Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO523.31 Kbytes共7页BCV27E6327HTSA1的PDF下载地址
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BCV27E6327HTSA1Infineon Technologies达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR1:¥2.7685
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1,000:¥0.54579
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