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BCV26E6327HTSA1 /BCV26 Series PNP 30 V 500 mA SMT Silicon Darlington Transistor - SOT-23-3
BCV26E6327HTSA1的规格信息
BCV26E6327HTSA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：1V @ 100µA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：20000 @ 100mA，5V

功率-最大值：360mW

频率-跃迁：200MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT23

封装形式Package：SOT-23

极性Polarity：PNP

集电极最大允许电流Ic：0.5A

集电极_发射极击穿电压VCEO：30V

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

供应商器件封装：PG-SOT23-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商BCV26E6327HTSA1
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芯莱德电子（香港）有限公司BCV26E6327HTSA1深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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BCV26E6327HTSA1的全球分销商及价格
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Mouser 贸泽电子		BCV26E6327HTSA1Infineon Technologies达林顿晶体管 PNP Silicn Darlingtn TRANSISTOR1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.42262
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