晶体管类型：PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底（R1）：4.7 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2）：47 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：70 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：300mV @ 500µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

频率 - 跃迁：160MHz

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT23

供应商器件封装：PG-SOT23-3

晶体管类型：PNP

每片芯片元件数目：1

最大连续集电极电流：100 mA

最大集电极-发射极电压：50 V

典型输入电阻器：4.7 k0hms

封装类型：SOT-23

引脚数目：3

最小直流电流增益：70

最大功率耗散：200 mW

晶体管配置：单

最大集电极-发射极饱和电压：0.3 V

最大发射极-基极电压：5 V

典型电阻比：0.1

长度：2.9mm

高度：0.9mm

尺寸：2.9 x 1.3 x 0.9mm

宽度：1.3mm

最高工作温度：+150 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs