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BCR148SH6327XTSA1 /BCR148 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-363-6
BCR148SH6327XTSA1的规格信息
BCR148SH6327XTSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):47k

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA

频率-跃迁:100MHz

功率-最大值:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT363

封装形式Package:SOT-363

极性Polarity:NPN

集电极最大允许电流Ic:100mA

集电极_发射极击穿电压VCEO:50V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底(R1):47 千欧

电阻器 - 发射极基底(R2):47 千欧

供应商器件封装:PG-SOT363-6

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商BCR148SH6327XTSA1
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BCR148SH6327XTSA1双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTORInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO877.91 Kbytes共12页BCR148SH6327XTSA1的PDF下载地址
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BCR148SH6327XTSA1Infineon Technologies双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
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