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BC858C-7-F /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
BC858C-7-F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:200 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BC858

高度:1 mm

长度:3.05 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.4 mm

商标:Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:420

Pd-功率耗散:300 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商BC858C-7-F
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深圳市坤融电子有限公司BC858C-7-F航都大厦10I0755-23990975
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13352985419
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”13725596657“17503034873
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BC858C-7-FPNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO269.83 Kbytes共4页BC858C-7-F的PDF下载地址DMMT5401,BC817-16,BC846A_,HN1B01FDW1T1,MBT35200MT1_05,HE8550_05,HE8551,MMBT589LT1_07,S8550,DTA144TT1
BC858C-7-FPNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO194.89 Kbytes共7页BC858C-7-F的PDF下载地址
BC858C-7-F的全球分销商及价格
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BC858C-7-FDiodes IncorporatedPNP Small Signal Transistor SOT-237,500 : $0.016
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Allied Electronics
BC858C-7-FDiodes IncPNP Small Signal Transistor SOT-23+1250:$0.04
+2500:$0.03
+3750:$0.02
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BC858C-7-FDIODES ZETEX3000+:¥0.241+:¥1.28
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BC858C-7-FDiodes Incorporated9,000 : $0.0108
47,999 : $0.0092
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Digi-Key 得捷电子
BC858C-7-FDiodes IncorporatedTRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3$0.03514
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Digi-Key 得捷电子
BC858C-7-FDiodes IncorporatedTRANS PNP 30V 0.1A SOT23-33,000 : $0.03315
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Digi-Key 得捷电子
BC858C-7-FDiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥0.24
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element14 Asia-Pacific
BC858C-7-FDiodes IncorporatedTRANSISTOR PNP SOT23
RoHS : Compliant
1 : $0.83
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Future Electronics
BC858C-7-FDiodes IncorporatedBC858C Series 30 V 100 mA Surface Mount PNP Small Signal Transistor - SOT23
RoHS : Compliant
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
BC858C-7-FDiodes Incorporated双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR1:¥1.6159
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Verical
BC858C-7-FDiodes IncorporatedTrans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R$0.0169
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
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立创商城
BC858C-7-FDIODES(美台)集电极电流Ic:100mA 额定功率:310mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:30V1+:¥0.278178
200+:¥0.107652
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