晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：30V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：650mV @ 5mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：220 @ 2mA，5V

功率 - 最大值：250mW

频率 - 跃迁：250MHz

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT323

供应商器件封装：PG-SOT323-3

最大直流集电极电流：100 mA

最大集电极-发射极电压：30 V

封装类型：SOT-323 (SC-70)

最大功率耗散：330 mW

最小直流电流增益：125

晶体管配置：单

最大集电极-基极电压：-30 V

最大发射极-基极电压：-5 V

最大工作频率：250 MHz

引脚数目：3

每片芯片元件数目：1

最大基极-发射极饱和电压：850 mV

最高工作温度：+150 °C

高度：0.8mm

尺寸：2 x 1.25 x 0.8mm

最大集电极-发射极饱和电压：650 mV

宽度：1.25mm

长度：2mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs