FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：68nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：4000pF @ 20V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：70W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：33 毫欧 @ 20A，10V
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）
封装形式Package：ATPAK
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：100V
连续漏极电流ID：40A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4000pF @ 20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型：N 沟道
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：40A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs