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ATP208-TL-H /ON Semiconductor/分立半导体产品
ATP208-TL-H的规格信息
ATP208-TL-H的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：90A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 45A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：83nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4510pF @ 20V

功率 - 最大值：60W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）

供应商器件封装：ATPAK

其它名称：869-1083-2ATP208TLH

供应商ATP208-TL-H
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深圳市凌特半导体科技有限公司ATP208-TL-H广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司ATP208-TL-H深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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