AS2102W
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道
AS2102W的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.1A
栅源极阈值电压1.2V @ 50uA
漏源导通电阻68mΩ @ 3.6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)200mW
类型N沟道
AS2102W
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AS2102W | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 | AnBon(台湾安邦) |  | 478.44 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
AS2102W的全球分销商及价格
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 立创商城 | AS2102W | AnBon(台湾安邦) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:68mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):200mW 类型:N沟道 | 5+:¥0.29844 50+:¥0.22347 150+:¥0.2097 500+:¥0.19593 2500+:¥0.18981 5000+:¥0.186786
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