AS2101W
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA(标准) 漏源导通电阻：100mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290mW 类型：P沟道
AS2101W的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.4A
栅源极阈值电压700mV @ 250uA(标准)
漏源导通电阻100mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）290mW
类型P沟道
AS2101W
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| AS2101W | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA(标准) 漏源导通电阻：100mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290mW 类型：P沟道 | AnBon(台湾安邦) |  | 672.84 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
AS2101W的全球分销商及价格
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立创商城 | AS2101W | AnBon(台湾安邦) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：700mV @ 250uA(标准) 漏源导通电阻：100mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290mW 类型：P沟道 | 10+:￥0.340437
100+:￥0.255971
300+:￥0.240456
1000+:￥0.224942
5000+:￥0.218047
10000+:￥0.21464
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