图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Microchip
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Id-连续漏极电流:10 A
Vds-漏源极击穿电压:500 V
增益:15 dB
输出功率:900 W
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
封装:Box
工作频率:150 MHz
工作温度范围:- 55 C to + 175 C
类型:RF Power MOSFET
商标:Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值:3 mS
下降时间:4 ns
Pd-功率耗散:910 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
上升时间:4.1 ns
工厂包装数量:1
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3.3 V