制造商:Microchip

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:500 V

增益:15 dB

输出功率:100 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

封装:Tube

工作频率:100 MHz

工作温度范围:- 55 C to + 150 C

类型:RF Power MOSFET

商标:Microchip / Microsemi

正向跨导 - 最小值:2 mS

通道模式:Enhancement

下降时间:4.2 ns

Pd-功率耗散:180 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

上升时间:4.3 ns

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

单位重量:38 g