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APTGT75DDA60T3G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT75DDA60T3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

在25 C的连续集电极电流:100 A

栅极—射极漏泄电流:600 nA

Pd-功率耗散:250 W

封装 / 箱体:SP3-32

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

供应商APTGT75DDA60T3G
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深圳市安富世纪电子有限公司APTGT75DDA60T3G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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集好芯城APTGT75DDA60T3G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市仓实科技有限公司APTGT75DDA60T3G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
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深圳市斌腾达科技有限公司APTGT75DDA60T3G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市芯脉实业有限公司APTGT75DDA60T3G深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A18520805148,13487865852,18124020586,13760272017
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APTGT75DDA60T3GDual Boost chopper Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO264.59 Kbytes共6页APTGT75DDA60T3G的PDF下载地址APTGT50DDA60T3G,APTGT50DDA120T3G,APTGT20DDA60T3G,APTGT30DDA60T3G,APTGT50DA120TG,APTGT20DSK60T3G,APTGT50DA170TG,APTGT30DSK60T3G,APTGT50DSK60T3G,APTGT50DSK120T3G
APTGT75DDA60T3G的全球分销商及价格
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APTGT75DDA60T3GMICRO-SEMI16+:¥402.640150+:¥282.35
100+:¥282.35
250+:¥269.51
500+:¥269.511+:¥295.39
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APTGT75DDA60T3GMicrosemi CorporationPOWER MODULE - IGBT - Bulk50 : $36.3171
99 : $35.8018
499 : $34.2958
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APTGT75DDA60T3GMicrosemi CorporationIGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP315 : $55.12867
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APTGT75DDA60T3GAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品16+:¥402.6401
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Digi-Key 得捷电子
APTGT75DDA60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 100A 250W SP3$55.59000
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Mouser 贸泽电子
APTGT75DDA60T3GMicrosemiIGBT 模块 Power Module - IGBT100:¥384.5051
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APTGT75DDA60T3GMICRO-SEMI16+:¥402.640150+:¥282.35
100+:¥282.35
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500+:¥269.51
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APTGT75DDA60T3GMicrosemi CorporationPower Module - IGBT SP3
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$30.153