IGBT 类型：沟槽型场截止

配置：半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：110A

功率 - 最大值：357W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V，75A

电流 - 集电极截止（最大值）：50µA

不同 Vce 时的输入电容（Cies）：5.34nF @ 25V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP2

供应商器件封装：SP2

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs