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APTGT50DU120TG /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT50DU120TG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:75 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:277 W

封装 / 箱体:SP4

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

单位重量:110 g

供应商APTGT50DU120TG
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深圳市辉华拓展电子有限公司APTGT50DU120TG深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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深圳市瑞浩芯科技有限公司APTGT50DU120TG深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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APTGT50DU120TGDual common source Fast Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO258.73 Kbytes共5页APTGT50DU120TG的PDF下载地址APTGT50DDA120T3G,APTGT50DSK120T3G,APTGT50DSK60T3G,APTGT35H120T3G,APTGT50A120TG,APTGT50DA120TG,APTGT50DH120TG,APTGT20DDA60T3G,APTGT20DSK60T3G,APTGT30DDA60T3G
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Arrow(艾睿)		APTGT50DU120TGMICRO-SEMI11+:￥526.5450+:￥381.0701
100+:￥363.75
250+:￥349.89
500+:￥349.681+:￥398.66
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Digi-Key 得捷电子		APTGT50DU120TGAmerican Microsemiconductor, Inc.IGBT - 模块 - 分立半导体产品11+:￥526.54
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Mouser 贸泽电子		APTGT50DU120TGMicrosemiIGBT 模块 Power Module - IGBT100:¥500.6126
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Mouser 贸泽电子		APTGT50DU120TGMICRO-SEMI11+:￥526.5450+:￥381.0701
100+:￥363.75
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500+:￥349.68
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