IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：非对称桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：75A
功率 - 最大值：277W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）：250µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）：3.6nF @ 25V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP3
供应商器件封装：SP3
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs