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APTGT35H120T3G /IGBT 模块 Power Module - IGBT
APTGT35H120T3G的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Full Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:1.7 V

在25 C的连续集电极电流:55 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:208 W

封装 / 箱体:SP3-32

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Tube

商标:Microchip / Microsemi

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:1

子类别:IGBTs

供应商APTGT35H120T3G
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APTGT35H120T3GFull - Bridge Fast Trench Field Stop IGBT Power Module MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO263.58 Kbytes共5页APTGT35H120T3G的PDF下载地址APTGT30H170T3G,APTGT20H60T3G,APTGT30H60T3G,APTGT20DDA60T3G,APTGT20DSK60T3G,APTGT30DDA60T3G,APTGT30DSK60T3G,APTGF50H120TG,APTGF75H120TG,APTGF90H60TG
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