FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：49A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 2.5mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：9000pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：730W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：125 毫欧 @ 24.5A，12V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
封装形式Package：TO-264
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：600V
连续漏极电流ID：49A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs