FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 2.5mA
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9000pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
功率耗散（最大值）：565W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 21.5A，12V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
供应商器件封装：ISOTOP®
封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs