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AOTF11C60P_001 /
AOTF11C60P_001的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):50nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2333pF @ 100V

功率耗散(最大值):50W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.5A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220F

封装/外壳:TO-220-3 整包

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AOTF11C60P_001
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