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AOT8N50L /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W(Tc) 类型:N沟道
AOT8N50L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)500V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻850mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)192W(Tc)

类型N沟道

供应商AOT8N50L
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AOT8N50L连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W(Tc) 类型:N沟道AOSAOS的LOGO276.26 Kbytes共6页AOT8N50L的PDF下载地址
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