包装管件

系列aMOS5™

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）600 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）11.5nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）608pF @ 100V

FET 功能-

功率耗散（最大值）27.5W (Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220

封装/外壳TO-220-3