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AONS21357 /MOSFET P-CH 30V 8DFN 5X6
AONS21357的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)21A(Ta),36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)7.8 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)70nC @ 10V

Vgs(最大值)±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2830pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散(最大值)5W(Ta),48W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-DFN-EP(5x6)

封装/外壳8-PowerVDFN

供应商AONS21357
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AONS21357AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):21A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:7.8mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道1+:¥1.15
10+:¥1.12
30+:¥1.1
100+:¥1.08