特色产品：AON7932 30 V Dual Asymmetric

标准包装：5,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.6A，8.1A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：6.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：460pF @ 15V

功率 - 最大值：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN-EP（3x3）

其它名称：785-1407-2