类型：隔离模块

输出数：1

电压 - 输入（最小值）：200V

电压 - 输入（最大值）：400V

电压 - 输出 1：13.8V

电流 - 输出（最大值）：10.87A

功率（W）：150W

电压 - 隔离：3KV

应用：ITE（商业）

特性：OCP，OTP，OVP，SCP

工作温度：-40°C ~ 85°C

效率：90%

安装类型：通孔

封装/外壳：整砖

尺寸 ：4.60" 长 x 1.86" 宽 x 1.05" 高（116.8mm x 47.2mm x 26.7mm）

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：33nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1229pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：15V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，10V

无铅情况/RoHs：否