包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.5A（Ta），46A（Tc），17A（Ta），80A（Tc）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）8.9 毫欧 @ 11.5A，10V，3.6 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250µA，2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）15nC @ 10V，38nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1110pF @ 15V，5260pF @ 15V

功率 - 最大值1.9W（Ta），31W（Tc），2.1W（Ta），78W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-PowerVDFN

供应商器件封装8-DFN-EP（5x6）