特色产品：AOS Common-Drain MOSFETs

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.4 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：34nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1720pF @ 15V

功率 - 最大值：4.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN-EP（5.2x5.55）

其它名称：785-1629-2