特色产品：AOS Common-Drain MOSFETs

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：-

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1130pF @ 15V

功率 - 最大值：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-XFBGA，CSPBGA

供应商器件封装：8-MCSP（3.2x2）

其它名称：785-1619-2