图像仅供参考,请参阅规格书
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11.5nC @ 4.5V
功率 - 最大值:1.4W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-XDFN
供应商器件封装:4-DFN (1.7x1.7)
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs