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AO4459 /二极管与整流器
AO4459的规格信息
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系列:AO

FET类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.5A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V

不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):830pF @ 15V

Vgs(最大值):±20V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):46 毫欧 @ 6.5A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC

封装形式Package:SOIC

极性Polarity:P-CH

漏源极击穿电压VDSS:30V

连续漏极电流ID:6.5A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商AO4459
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AO445930V P-Channel MOSFET AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]AOSMD[Alpha & Omega Semiconductors]的LOGO604.8 Kbytes共6页AO4459的PDF下载地址
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AO4459Alpha & Omega Semiconductor Inc.3000+:¥1.4801
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AO4459LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOObsolete
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AO4459AOS连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:P沟道5+:¥0.823403
50+:¥0.633479
150+:¥0.598595
500+:¥0.479154
2500+:¥0.465976
5000+:¥0.459464
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立创商城
AO4459VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:42mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道1+:¥1.0547
10+:¥0.7794
30+:¥0.7288
100+:¥0.6782
500+:¥0.6557
1000+:¥0.6446