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AO3416A /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道
AO3416A的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）6.5A

栅源极阈值电压1.1V @ 250uA

漏源导通电阻22mΩ @ 6.5A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）1.4W

类型N沟道

供应商AO3416A
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AO3416A连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO2.63 Mbytes共4页AO3416A的PDF下载地址无
AO3416AI-MSN沟道, VDSS耐压 20V, ID电流 6.5A, RDON导通电阻 27mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th)开启电压 0.45-1.0V,带ESD静电保护MSKSEMI(美森科)MSKSEMI(美森科)的LOGO1.92 Mbytes共8页AO3416AI-MS的PDF下载地址无
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立创商城		AO3416AUMW(友台半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 6.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：N沟道10+:￥0.338598
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